突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产
12月9日消息，突破据媒体报道，性进三星已成功开发出突破性的展星400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。层N存开成最产
这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的发完SK海力士。
三星计划在2025年国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，快年并预计于2025年下半年开始量产。季度
市场专家预测，末量如果进程加快，突破量产可能会在2025年第二季度末开始。性进
除了400层NAND Flash闪存，展星三星还计划增加其先进内存产品线的层N存开成最产产量，包括在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）NAND Flash闪存生产设施，发完月产能为30000至40000片晶圆。快年
以及在中国西安工厂将128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线转换为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产品制程。季度
目前，三星在全球NAND Flash闪存市场市占率为36.9%，面对SK海力士的竞争，三星的这一突破显得尤为重要。
本文地址：http://bvlgl.ahlulin.com/news/4e96599030.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。